Transistor N-Mosfet IRF520N de TO-220

Especificaciones:

• Tipo: MOSFET de canal N.
• Encapsulado: TO-220, que permite un fácil montaje en un disipador de calor.
• Voltaje de fuente de drenaje (VDS): normalmente clasificado para alrededor de 100 voltios.
• Voltaje puerta-fuente (VGS): normalmente clasificado para alrededor de ±20 voltios.
• Corriente de drenaje continuo (ID): generalmente nominal para varios amperios, a menudo en el rango de 9 a 10 A.
• Resistencia en estado encendido (RDS (encendido)): Esta es la resistencia entre los terminales de fuente y drenaje cuando el MOSFET está completamente encendido. Para el IRF520N, suele ser de alrededor de 0,27 ohmios.
• Voltaje de umbral de puerta (VGS (th)): el voltaje al que el MOSFET comienza a conducir. Para el IRF520N, es de alrededor de 4 voltios.
• La cantidad de carga eléctrica necesaria para encender completamente el MOSFET. Este es un parámetro importante para calcular las pérdidas de conmutación.

Ejemplo para Arduino:

const int irf520Pin = 9;
void setup() {
  pinMode(irf520Pin, OUTPUT);
}
void loop() {
  digitalWrite(irf520Pin, HIGH); // Turn on the MOSFET (connects the load to the positive supply)
  delay(1000); // Wait for 1 second
  digitalWrite(irf520Pin, LOW); // Turn off the MOSFET (disconnects the load from the positive supply)
  delay(1000); // Wait for 1 second
}